办公电话：18363035957
电子邮件：huhaixiao@qlu.edu.cn
通讯地址：齐鲁工业大学长清校区 邮政编码：250353
一、个人简历
2021.01-至今 齐鲁工业大学材料科学与工程学院 讲师
2015-2020 山东大学 晶体材料研究所 材料学 工学博士
2011-2015 济南大学 材料科学与工程学院 材料科学与工程 工学学士
二、研究方向
1. 主要从事GaN单晶生长、加工，以及相关器件的制备和性能研究
三、科研项目
1. 激光辐照分解制备低应力衬底及HVPE生长GaN单晶研究，山东省自然科学基金青年基金项目，15万，主持，结题
四、代表性论文
1. Haixiao Hu; Bin Chang; Xiucai Sun; Qin Huo; Baoguo Zhang; Yanlu Li; Yongliang Shao; Lei Zhang; Yongzhong Wu and Xiaopeng Hao; Intrinsic Properties of Macroscopically Tuned Gallium Nitride Single-Crystalline Facets for Electrocatalytic Hydrogen Evolution. Chemistry-A European Journal, 2019, 25, 10420-10426.
2. Haixiao Hu; Baoguo Zhang; Lei Liu; Deqin Xu; Yongliang Shao; Yongzhong Wu; and Xiaopeng Hao; Growth of Freestanding Gallium Nitride (GaN) Through Polyporous Interlayer Formed Directly During Successive Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Process. Crystals, 2020, 10,141.
3. Haixiao Hu; Baoguo Zhang; Yongzhong Wu; Yongliang Shao; Lei Liu and Xiaopeng Hao; High Quality GaN Crystal Grown on Laser Decomposed GaN-Sapphire Substrate and Its Application in Photodetector. Physica Status Solidi A, 2020,217,2000380.
4. Baoguo Zhang; Haixiao Hu; Xiaogang Yao; Yongzhong Wu; Yongliang Shao; Xiaopeng Hao ;
Preparation of controllable double-selective etched porous substrate for HVPE growth of GaN crystals with excellent optical properties, CrystEngComm, 2023, 25(47): 6602-6610.
5. Yongliang Shao; Haixiao Hu; Baoguo Zhang; Xiaopeng Hao; Yongzhong Wu ; Crystallographic Orientation and Strain in GaN Crystals Grown on 6H-SiC and Sapphire Substrates, Crystals, 2023, 13(12): 1694.
五、教学工作
本科生课程
1.《材料科学基础》（72学时）
2.《半导体物理》（32学时）
3.《人工晶体》（24学时）
4.《半导体器件制造工艺与装备》（32学时）
5.《半导体制造技术导论》（32学时）
