JCP-500M2高真空磁控溅射镀膜设备

仪器简介封面

一、仪器名称

中文名称：高真空磁控溅射镀膜设备

英文名称：High Vacuum Magnetron Sputtering Coating Equipment

二、型号：JCP-500M2

三、生产厂家：北京泰科诺科技

四、仪器简介：

JCP-500M2高真空磁控溅射镀膜设备用于薄膜新材料的科研与小批量制备。设备性能稳定，可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等。单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。镀膜示例：银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等。

五、仪器主要特点及技术指标：

1．真空腔室结构立式前开门结构，后置抽气系统

2. 真空腔室尺寸Φ500×H420mm

3. 加热温度室温～500℃

4. 溅射方式上下溅射可选

5. 旋转基片台Φ150mm

6. 膜厚不均匀性Φ100mm范围内≤±5.0%

7. 溅射靶/蒸发电极Φ3英寸磁控靶3支，兼容DC/MF/RF溅射

8. 工艺气体2~3路气体流量控制

9. 控制方式PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统

10. 总功率≥10KW

六、仪器主要功能及其用途：

用于制备单层及多层金属膜、介质膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等。单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。

七、仪器图片

八、应用实例

可用于晶体电极制备，所用靶材规格为Φ50 mm×0.3 mm，如下图所示。

为了消除溅射过程中晶体产生的应变，对晶体进行退火处理，制作的电极厚度均为 100 nm，如下图所示。

九、存放地点及联系人：

存放地点：历下区科院路19号新材料所E3实验室

联系人：禹老师，15966680136