郝霄鹏，工学博士，教授，博士生导师，泰山学者特聘专家，教育部“新世纪优秀人才”。
E-mail：xphao@qlu.edu.cn
主要从事宽禁带半导体晶体的生长、加工及器件研究，以及新型能源材料的制备及应用研究。主持国家863、国家自然科学基金重点、面上、山东省重大等项目，以通讯或第一作者发表SCI论文170余篇，被他引7500余次，研究工作被Nature China和Nature Materials作为亮点进行评论。获授权发明专利30余项，其中GaN单晶生长及加工实现产业转化。获山东省自然科学奖二等奖、中国建材科技奖二等奖。
一、教育经历
1999.09-2002.06 山东大学，材料学，博士
1996.09-1999.04 浙江大学，材料学，硕士
1992.09-1996.06 山东轻工业学院，硅酸盐工程，学士
二、工作经历
2021.10至今 齐鲁工业大学（山东省科学院）材料科学与工程学部主任、材料科学与工程学院院长、新材料研究所所长
2020.11至今 齐鲁工业大学，材料科学与工程学院，教授
2006.09-2020.10 山东大学，晶体材料研究所，教授
2006.04-2019.05 山东大学，晶体材料研究所，副所长
2004.09-2006.08 山东大学，晶体材料研究所，副教授
2002.07-2004.08 山东大学，晶体材料研究所，讲师
三、主要科研项目
1.4英寸极低位错密度GaN单晶液相外延生长研究，2025.01-2028.12，国家自然科学基金，48万元，主持
2.低应力低位错密度4英寸GaN单晶的HVPE生长研究，2019.01-2022.12，国家自然科学基金，66万元，主持
3.新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究，2016.01-2019.12，国家自然科学基金，76.8万元，主持
4.GaN体单晶生长基础研究，2009,01-2012,12，国家自然科学基金，140万元，主持
5.适用于分布式光伏系统的新型能源存储器件，2017.08-2019.07，山东省自然科学基金重大基础类项目，90万元，主持
6.宽禁带半导体氮化物（GaN、AlN）单晶衬底，济南市"新高校20条"项目，2022.01-2024.12，90万元，主持
四、代表性论文
1.Meiling Huang, Zhen Kong, Zizheng Ai, Dong Shi, Mingzhi Yang, Xiaogang Yao,Yongliang Shao, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Twin Zn1-xCdxS Solid Solution: Highly Efficient Photocatalyst for Water Splitting, Small, 2024,20,2304784
2.Baoguo Zhang, Haixiao Hu, Xiaogang Yao, Yongzhong Wu, Yongliang Shao*, Xiaopeng Hao*, Preparation of controllable double-selective etched porous substrate for HVPE growth of GaN crystals with excellent optical properties, CrystEngComm, 2023,25,6602-6610
3.Zizheng Ai, Meiling Huang, Dong Shi, Mingzhi Yang, Haixiao Hu, Baoguo Zhang, Yongliang Shao, Jianxing Shen, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Phase engineering of CdS optimized by BP with p-n junction: Establishing spatial-gradient charges transmission mode toward efficient photocatalytic water reduction, Applied Catalysis B: Environmental,2022,315,121577
4.Weidong He，Zedong Lin，Kangning Zhao，Yanlu Li，Chao Meng，Jiantao Li，Sungsik Lee，Yongzhong Wu*，Xiaopeng Hao*, Interspace and Vacancy Modulation: Promoting the Zinc Storage of an Alcohol-Based Organic-Inorganic Cathode in a Water-Organic Electrolyte, Advanced Materials, 2022,34,2203920
5.Weidong He, Shouzhi Wang, Yongliang Shao, Zhen Kong, Huayao Tu, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Water Invoking Interface Corrosion: An Energy Density Booster for Ni//Zn Battery, Advanced Energy Materials, 2021,11,2003268
6.Dong Shi, Mingzhi Yang, Baoguo Zhang, Zizheng Ai, Haixiao Hu, Yongliang Shao, Jianxing Shen, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, BCN-Assisted Built-In Electric Field in Heterostructure: An Innovative Path for Broadening the Voltage Window of Aqueous Supercapacitor, Advanced Functional Materials,2021,2108843
7.Xiaogang Yao, Guodong Wang, Huayao Tu, Shengfu Liu, Mingzhi Yang, Zhen Kong, Yongliang Shao, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Crystallographic orientation and strain distribution in AlN seeds grown on 6H-SiC substrates by the PVT method,CrystEngComm,2021,23,4946-4953
8.Shouzhi Wang, Lili Li, Yongliang Shao, Lei Zhang, Yanlu Li*, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Transition‐Metal Oxynitride: A Facile Strategy for Improving Electrochemical Capacitor Storage, Advanced Materials,2019,1806088
9.Miao Du, Xianlei Li, Aizhu Wang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, and Mingwen Zhao*, One-Step Exfoliation and Fluorination of Boron Nitride Nanosheets and a Study of Their Magnetic Properties, Angew. Chem. Int. Ed.,53,3645-3649,2014
10.Xianlei Li, Xiaopeng Hao*, Mingwen Zhao*, Yongzhong Wu, Jiaxiang Yang, Yupeng Tian and Guodong Qian, Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride by Molten Hydroxides, Advanced Materials, 2013,25, 2200-2204
五、部分授权发明专利
1.一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，ZL 201710601044.3
2.阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，ZL202110701742.7
3.一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，ZL202110701740.8
4.一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，ZL 201410114052.1
5.利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，ZL 201410024671.1
6.一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，ZL 201410000379.6
7.一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，ZL 201210015837.4
8.在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，ZL 201410113538.3
9.锂离子超级电容器电极材料BCN纳米管的制备方法，ZL 201910016000.3
10.一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，ZL 201910015993.2