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一、个人简历
2023.06-今：副教授，齐鲁工业大学，材料科学与工程学部
2021.05-2022.10 副研究员，山东大学，新一代半导体材料研究院
2018.08-2021.04 研发总经理，河北同光晶体有限公司
2013.09-2018.06：山东大学，材料学，博士
2009.09-2013.06：青岛大学，材料物理，学士
二、研究方向
1.半导体材料生长和缺陷表征研究
2.宽禁带以及超宽禁带半导体（SiC、AlN）材料制备及缺陷研究
3.新型宽禁带半导体器件研究
三、科研项目
1. 基于**晶圆级***制备，国家重点基础研究发展计划（973计划），1200万，参与，结题
2. PVT法掺锗碳化硅单晶制备、结构及性能研究，国家青年自然基金，21万，参与，结题
3. 高质量SiC单晶衬底在电动汽车等领域功率器件的应用示范，中央引导地方项目基金，600万，主持，结题
4.高频射频功率器件用4英寸高纯半绝缘SiC单晶衬底制备研究，河北省重点计划，450万，参与，结题
5. 高质量低位错缺陷六英寸 4H-SiC 单晶制备研究，山东省青年基金，15万，主持，结题
6. 8英寸半绝缘SiC单晶材料生长，科教产融合试点工程重大创新类项目，300万，主持，在研
7. 六英寸碳化硅籽晶表面氢刻蚀处理研究，企业技术研发，50万，主持，在研
8. 高纯度耐腐蚀半导体用碳纤维保温材料制备技术开发研究，企业技术研发，50万，主持，在研
四、代表性论文
1.Fusheng Zhang, Xiufang Chen, Cancan Yu,etc. High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000-1) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching. Materials Letters. 2017, 195:82-85.
2.Fusheng Zhang, Xiufang Chen, Zhiyuan Zuo, etc. High Performance Metal-Graphene-Metal Photodetector Employing Epitaxial Graphene on SiC(0001) Surface. Journal of Materials Science: Materials in Electronics.2018,29: 5180-85.
3. Fusheng Zhang, Xiufang Chen, Cancan Yu, etc. Large-area uniform epitaxial graphene on SiC by optimizing temperature field[C]//Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS), 2016 13th China International Forum on Solid State Lighting: International Forum on. IEEE, 2016: 54-57.
4. Fusheng Zhang, Kun Yang, Xinhui Liu, etc. Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects[C]// 2020 17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS). IEEE, 2020: 19-22.
5. 张福生, 陈秀芳, 崔潆心, etc. Ge 掺杂碳化硅晶体的生长缺陷. 无机材料学报 2016, 31(11):1166-1170.
6. 张福生, 杨昆, 刘新辉. 无微管缺陷六英寸 SiC 单晶的制备[J]. 硅酸盐学报, 2021, 49(4): 1-7.
7. Xuejian Xie, Yan Peng, Fusheng Zhang, etc. Anharmonic effect on first-order Raman modes of p-type 6H-SiC single crystals[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2017, 691: 1033-1039.
8. Cancan Yu, Xiufang Chen, Fusheng Zhang, etc. Uniform coverage of quasi-free standing monolayer graphene on SiC by hydrogen intercalation. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, 28(4): 3884-3890.
9. Xiao Qin, Xiufang Chen,Fusheng Zhang, etc. Polarized Raman scattering of epitaxial graphene prepared by thermal decomposition of SiC[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(3): M35.
10. Xiufang Chen, Fusheng Zhang, Xianglong Yang, etc. Reduction of Dislocation Density of SiC Crystals Grown on Seeds after H2 Etching. Materials Science Forum. Trans Tech Publications, 2017, 897: 19-23.
五、教学工作
本科生课程
1. 《半导体物理学》（32学时）
2. 《储氢材料与技术》（32学时）
六、荣誉奖励
1. 2018年，河北省“三三三人才工程”
