半导体材料与器件创新团队

1. 概述

半导体材料与器件创新团队创建于2021年，团队主要从事半导体材料的制备、性能和器件研究。现有在职教师14人，其中泰山学者特聘专家、教育部新世纪优秀人才1人，山东省重点扶持区域引进急需紧缺人才2人，以团队成员为带头人，团队青年教师为主体，2022年获批山东省高等学校青年创新人才引育计划项目支持。每年招收博士研究生2-4人、硕士研究生10-12人。

2. 研究方向

（1）宽禁带半导体晶体材料与器件

GaN、AlN等宽禁带半导体材料具有很大禁带宽度和优良的物化特性，非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件。对国民经济和国防建设具有重要意义，高质量GaN、AlN单晶对于器件性能突破起到关键作用。团队主要开展GaN、AlN单晶生长机理、缺陷控制手段开发、衬底精密加工关键技术、性能调控和器件等研究。

（2）低维半导体材料

主要开展低维半导体材料的可控制备与性质研究，利用半导体材料电学性质可控掺杂的特点，研究其在光电、能源存储等领域的应用，发现低维半导体材料中的新现象、新性质，扩展半导体材料的应用。

3. 团队成员

4. 代表性研究成果

团队承担国家级科研项目12项，省部级项目20余项，横向课题到位经费1500余万元。先后发表高质量论文200余篇，获授权国家发明专利30余项，其中GaN单晶生长及加工相关发明专利实现了成果转化。2022年以团队学术带头人郝霄鹏教授为第一完成人获山东省自然科学二等奖。